mos管—工作原理

mos管的工作原理（以N溝道增強型mos場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos管—失效的6大原因

mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

目前在市場應用方面，消費類電子電源適配器產(chǎn)品效量*。而mos管的應用領域*二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對mos管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。

第三的就屬網(wǎng)絡通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域了，這些產(chǎn)品對于mos管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對于mos管的需求直追消費類電子了。

下面對mos失效的原因總結以下六點進行分析：

1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過mosFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致mosFET失效。

2：SOA失效（電流失效），既超出mosFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。

3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。

4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。

5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。

6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。

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